【第三代半导（dǎo）体】“十（shí）四（sì）五规划（huá）”细（xì）分行业投资主线市场分析（xī）
我国拟（nǐ）将第三代半导体发展，放入我国"十四五（wǔ）"规划中，大力研（yán）究发展第三代半导体，做到技术（shù）与生产独立，自给（gěi）自足，不再受（shòu）制（zhì）于外（wài）部限制（zhì）。我国计划在2021到2025年的五年之内，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面对（duì）第三代（dài）半（bàn）导体发展提供广泛支（zhī）持，并投入约（yuē）1.4万亿美元到无线网（wǎng）络、
人（rén）工智能（néng）等技术领域。
半导体指常温下导（dǎo）电性能介于导体与绝（jué）缘体之间的材料。半（bàn）导体行业经过近六十（shí）年的发（fā）展，目前已经发展形成了三代半导体材（cái）料，第一代半（bàn）导体（tǐ）材料主要是指硅、锗元素（sù）等单（dān）质半导（dǎo）体材（cái）料（liào）；第二代半导（dǎo）体材料主要（yào）是指（zhǐ）化合物半导体（tǐ）材料，如砷化镓、锑化（huà）铟（yīn）；第（dì）三代（dài）半导体（tǐ）材料以氮（dàn）化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为（wéi）四大代（dài）表，是 5G 时（shí）代的主要材料。
第三代半导体材料无论（lùn）在军事领域还是民（mín）用都有广泛的用途（tú），国家战略新兴产业政策（cè）中多次提到以（yǐ）碳（tàn）化硅、氮化镓为代（dài）表的第三代半导体器件，写入"十四五"规划也是早有迹象（xiàng）。第（dì）三代半导体产业战略意义非凡，但国内（nèi）该产（chǎn）业仍处（chù）起步阶段，在研发、生产方面明显落后（hòu）于美（měi）日欧，随着国（guó）家将（jiāng）其纳（nà）入"十四五"规划，政策利好必将引爆产业（yè）投资热潮。
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